BCR 112L3 E6327
참조 용
| 부품 번호 | BCR 112L3 E6327 |
| PNEDA 부품 번호 | BCR-112L3-E6327 |
| 설명 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,294 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
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BCR 112L3 E6327 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BCR 112L3 E6327 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 |
| 데이터 시트 |
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BCR 112L3 E6327 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 4.7 kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 4.7 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 주파수-전환 | 140MHz |
| 전력-최대 | 250mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-101, SOT-883 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TSLP-3-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 250MHz 전력-최대 300mW 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
