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BCR 133L3 E6327

BCR 133L3 E6327

참조 용

부품 번호 BCR 133L3 E6327
PNEDA 부품 번호 BCR-133L3-E6327
설명 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,772
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCR 133L3 E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCR 133L3 E6327
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
BCR 133L3 E6327, BCR 133L3 E6327 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 709.02 KB)
PDFBCR 133T E6327 데이터 시트 표지
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BCR 133L3 E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환130MHz
전력-최대250mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지PG-TSLP-3-4

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased + Diode

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VMT3

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

330mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

VESM

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

246mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

140MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

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