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BCR08PNE6327BTSA1

BCR08PNE6327BTSA1

참조 용

부품 번호 BCR08PNE6327BTSA1
PNEDA 부품 번호 BCR08PNE6327BTSA1
설명 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
제조업체 Infineon Technologies
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BCR08PNE6327BTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCR08PNE6327BTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
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  • BCR08PNE6327BTSA1 Price
  • BCR08PNE6327BTSA1 Distributor

BCR08PNE6327BTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)-
주파수-전환170MHz
전력-최대250mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

공급자 장치 패키지

EMT5

RN4902,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 12V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

300MHz

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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Panasonic Electronic Components

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

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저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

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80MHz

전력-최대

300mW

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