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BCR198WH6327XTSA1

BCR198WH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BCR198WH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BCR198WH6327XTSA1
설명 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCR198WH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCR198WH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
BCR198WH6327XTSA1, BCR198WH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 867.26 KB)
PDFBCR198SE6327BTSA1 데이터 시트 표지
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  • BCR198WH6327XTSA1 Distributor

BCR198WH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환190MHz
전력-최대250mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지PG-SOT323-3

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Panasonic Electronic Components

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

UMT3

DDTD113EU-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

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