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BCR523E6433HTMA1

BCR523E6433HTMA1

참조 용

부품 번호 BCR523E6433HTMA1
PNEDA 부품 번호 BCR523E6433HTMA1
설명 TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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BCR523E6433HTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCR523E6433HTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
BCR523E6433HTMA1, BCR523E6433HTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 847.99 KB)
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  • BCR523E6433HTMA1 Distributor

BCR523E6433HTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환100MHz
전력-최대330mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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저항-베이스 (R1)

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저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

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PNP - Pre-Biased

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50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

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47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

202mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

DRC2643T0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

주파수-전환

-

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

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