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BCV29,115

BCV29,115

참조 용

부품 번호 BCV29,115
PNEDA 부품 번호 BCV29-115
설명 TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 82,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCV29 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCV29,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BCV29, BCV29 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 318 KB)
PDFBCV29 데이터 시트 표지
BCV29 데이터 시트 페이지 2 BCV29 데이터 시트 페이지 3 BCV29 데이터 시트 페이지 4 BCV29 데이터 시트 페이지 5 BCV29 데이터 시트 페이지 6 BCV29 데이터 시트 페이지 7 BCV29 데이터 시트 페이지 8 BCV29 데이터 시트 페이지 9

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BCV29 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
전력-최대1.3W
주파수-전환220MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

225mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

2N3057A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-46-3

JAN2N6298

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/540

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 80mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

전력-최대

64W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-213AA, TO-66-2

공급자 장치 패키지

TO-66 (TO-213AA)

JANTXV2N6249T1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/510

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 10A, 3V

전력-최대

6W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

공급자 장치 패키지

TO-254AA

MMJT9435T1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

전력-최대

3W

주파수-전환

110MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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