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BCX55E6327HTSA1

BCX55E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BCX55E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BCX55E6327HTSA1
설명 TRANS NPN 60V 1A SOT-89
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,592
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCX55E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCX55E6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BCX55E6327HTSA1, BCX55E6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 520.56 KB)
PDFBCX5616E6327HTSA1 데이터 시트 표지
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  • BCX55E6327HTSA1 Distributor

BCX55E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
전력-최대2W
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지PG-SOT89

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Central Semiconductor Corp

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

90V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 5A, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

50mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 2A, 5V

전력-최대

140W

주파수-전환

60MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

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Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 1V

전력-최대

83W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

CMPT491E TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

25nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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