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BCY59-VIII

BCY59-VIII

참조 용

부품 번호 BCY59-VIII
PNEDA 부품 번호 BCY59-VIII
설명 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 2,898
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCY59-VIII 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCY59-VIII
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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BCY59-VIII 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce180 @ 2mA, 5V
전력-최대1W
주파수-전환150MHz
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-18

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

850mV @ 1.5A, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.5W

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 4V

전력-최대

10W

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

MPT3

2SCR543RTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

전력-최대

1W

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

전력-최대

2W

주파수-전환

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작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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