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BD13510S

BD13510S

참조 용

부품 번호 BD13510S
PNEDA 부품 번호 BD13510S
설명 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,498
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BD13510S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD13510S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BD13510S, BD13510S 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 41.32 KB)
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BD13510S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
전력-최대1.25W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-126-3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 900mA, 4.5V

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

14 @ 1A, 5V

전력-최대

125W

주파수-전환

13MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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ON Semiconductor

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

360MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

전력-최대

100mW

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