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BD238S

BD238S

참조 용

부품 번호 BD238S
PNEDA 부품 번호 BD238S
설명 TRANS PNP 80V 2A TO-126
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,158
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BD238S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD238S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BD238S, BD238S 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 37.7 KB)
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BD238S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 1A, 2V
전력-최대25W
주파수-전환3MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-126-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

100mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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TTA004B,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 5V

전력-최대

10W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126N

2SB1707TL

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 40mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-96

공급자 장치 패키지

TSMT3

KSB811GTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

110MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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