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BD676

BD676

참조 용

부품 번호 BD676
PNEDA 부품 번호 BD676
설명 TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 11 - 3월 16 (신속 배송 선택)
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BD676 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD676
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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BD676 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
전력-최대40W
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-225AA

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750V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 1.5A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6.5 @ 6A, 5V

전력-최대

62W

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

250mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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MJL3281A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

260V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 5A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

30MHz

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