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BD897-S

BD897-S

참조 용

부품 번호 BD897-S
PNEDA 부품 번호 BD897-S
설명 TRANS NPN DARL 60V 8A
제조업체 Bourns
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재고 있음 6,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BD897-S 리소스

브랜드 Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD897-S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BD897-S, BD897-S 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 84.05 KB)
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BD897-S 사양

제조업체Bourns Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce750 @ 3A, 3V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

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전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

전력-최대

65W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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TO-236AB

KSC5019MTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 1V

전력-최대

750mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

TTC5200(Q)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

230V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

전력-최대

150W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(L)

KSE13003H1ASTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

9 @ 500mA, 2V

전력-최대

20W

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Through Hole

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