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BF 5030R E6327

BF 5030R E6327

참조 용

부품 번호 BF 5030R E6327
PNEDA 부품 번호 BF-5030R-E6327
설명 MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF 5030R E6327 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF 5030R E6327
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF 5030R E6327, BF 5030R E6327 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 579.68 KB)
PDFBF5030WH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BF 5030R E6327 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트3V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스SOT-143R
공급자 장치 패키지PG-SOT143R-4

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-

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패키지 / 케이스

NI-780S

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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전압-정격

8V

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공급자 장치 패키지

PG-SOT143R-4

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

PD55008

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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10-PowerSO

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.805GHz ~ 2.2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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