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BF1101R,215

BF1101R,215

참조 용

부품 번호 BF1101R,215
PNEDA 부품 번호 BF1101R-215
설명 MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1101R 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1101R,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF1101R, BF1101R 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 373.3 KB)
PDFBF1101WR 데이터 시트 표지
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BF1101R 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수800MHz
이득-
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치1.7dB
현재-테스트12mA
전원-출력-
전압-정격7V
패키지 / 케이스SOT-143R
공급자 장치 패키지SOT-143R

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ATF-55143-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

2GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

2.7V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14.4dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

IXZH10N50L2A

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

70MHz

이득

17dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

200W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXFH)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

J310_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

450MHz

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BLF184XRSU

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

LDMOST

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