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BF1101WR,135

BF1101WR,135

참조 용

부품 번호 BF1101WR,135
PNEDA 부품 번호 BF1101WR-135
설명 MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1101WR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1101WR,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF1101WR, BF1101WR 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 373.3 KB)
PDFBF1101WR 데이터 시트 표지
BF1101WR 데이터 시트 페이지 2 BF1101WR 데이터 시트 페이지 3 BF1101WR 데이터 시트 페이지 4 BF1101WR 데이터 시트 페이지 5 BF1101WR 데이터 시트 페이지 6 BF1101WR 데이터 시트 페이지 7 BF1101WR 데이터 시트 페이지 8 BF1101WR 데이터 시트 페이지 9 BF1101WR 데이터 시트 페이지 10 BF1101WR 데이터 시트 페이지 11

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BF1101WR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수800MHz
이득-
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치1.7dB
현재-테스트12mA
전원-출력-
전압-정격7V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지CMPAK-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

140mA

전원-출력

1W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360HF

공급자 장치 패키지

NI-360HF

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244B

공급자 장치 패키지

CDFM6

BLC9H10XS-60PZ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

400MHz ~ 1GHz

이득

16.3dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

115mA

전원-출력

102W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

SOT1273-1

공급자 장치 패키지

SOT1273-1

BLF642,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

19dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.45GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

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B32921C3104M000

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RT6238BHGQUF

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PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

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