BF1201WR,135
참조 용
| 부품 번호 | BF1201WR,135 |
| PNEDA 부품 번호 | BF1201WR-135 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,106 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BF1201WR 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BF1201WR,135 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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BF1201WR 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel Dual Gate |
| 주파수 | 400MHz |
| 이득 | 29dB |
| 전압-테스트 | 5V |
| 전류 정격 (Amps) | 30mA |
| 소음 수치 | 1dB |
| 현재-테스트 | 15mA |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 10V |
| 패키지 / 케이스 | SC-82A, SOT-343 |
| 공급자 장치 패키지 | CMPAK-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 920MHz ~ 960MHz 이득 19.5dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.8A 전원-출력 60W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.8MHz ~ 470MHz 이득 24dB 전압-테스트 65V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 1800W 전압-정격 - 패키지 / 케이스 OM-1230-4L 공급자 장치 패키지 OM-1230-4L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 400MHz 이득 30dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 0.9dB 현재-테스트 12mA 전원-출력 - 전압-정격 6V 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143B |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.805GHz ~ 1.99GHz 이득 16.6dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 1.4µA 소음 수치 - 현재-테스트 300mA 전원-출력 190W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT1275-3 공급자 장치 패키지 SOT1275-3 |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 HFET 주파수 1.9GHz 이득 12dB 전압-테스트 3.5V 전류 정격 (Amps) 1A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 27dBm 전압-정격 8V 패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 79A |
