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BF1212WR,115

BF1212WR,115

참조 용

부품 번호 BF1212WR,115
PNEDA 부품 번호 BF1212WR-115
설명 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1212WR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1212WR,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BF1212WR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수400MHz
이득30dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치0.9dB
현재-테스트12mA
전원-출력-
전압-정격6V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지CMPAK-4

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시리즈

-

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LDMOS (Dual), Common Source

주파수

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이득

15.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

280mA

전원-출력

155W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

DFM6

ATF-551M4-TR1

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시리즈

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주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

2.7V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14.6dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

0505 (1412 Metric)

공급자 장치 패키지

MiniPak 1412

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

37A

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-270BA

공급자 장치 패키지

TO-270-2 GULL

PTF080101M V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

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