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BF245C,112

BF245C,112

참조 용

부품 번호 BF245C,112
PNEDA 부품 번호 BF245C-112
설명 JFET N-CH 30V 25MA TO92
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,498
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF245C 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF245C,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF245C, BF245C 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 286.96 KB)
PDFBF245A 데이터 시트 표지
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BF245C 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수100MHz
이득-
전압-테스트15V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.5dB
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격30V
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

관심을 가질만한 제품

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

300W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

MRF374A

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

17.3dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

130W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-650

공급자 장치 패키지

NI-650

PTFA071701EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

765MHz

이득

18.7dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

132mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-270AA

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

14.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

66W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

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