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BF904AWR,115

BF904AWR,115

참조 용

부품 번호 BF904AWR,115
PNEDA 부품 번호 BF904AWR-115
설명 MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,074
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF904AWR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF904AWR,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF904AWR, BF904AWR 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 122.86 KB)
PDFBF904AWR 데이터 시트 표지
BF904AWR 데이터 시트 페이지 2 BF904AWR 데이터 시트 페이지 3 BF904AWR 데이터 시트 페이지 4 BF904AWR 데이터 시트 페이지 5 BF904AWR 데이터 시트 페이지 6 BF904AWR 데이터 시트 페이지 7 BF904AWR 데이터 시트 페이지 8 BF904AWR 데이터 시트 페이지 9 BF904AWR 데이터 시트 페이지 10 BF904AWR 데이터 시트 페이지 11

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BF904AWR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수200MHz
이득-
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치1dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격7V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지CMPAK-4

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NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

27MHz ~ 250MHz

이득

18.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz

이득

14.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

66W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

PTFA081501E1V4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PD55035STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

16.9dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

35W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

BLF6G21-10G,135

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700mW

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-538A

공급자 장치 패키지

2-CSMD

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LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

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