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BF998RE6327HTSA1

BF998RE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BF998RE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BF998RE6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,968
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF998RE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF998RE6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF998RE6327HTSA1, BF998RE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 142.44 KB)
PDFBF998RE6327HTSA1 데이터 시트 표지
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BF998RE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수45MHz
이득28dB
전압-테스트8V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치2.8dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격12V
패키지 / 케이스SOT-143R
공급자 장치 패키지PG-SOT143R-4

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CGHV27060MP

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6.3A

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

80W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

20-TSSOP

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

37A

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

PD84008-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

16.2dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

2W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

500W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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