BFG198,115
참조 용
| 부품 번호 | BFG198,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BFG198-115 |
| 설명 | RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,652 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BFG198 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFG198,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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BFG198 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 10V |
| 주파수-전환 | 8GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 1W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-223 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
