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BFG520/XR,235

BFG520/XR,235

참조 용

부품 번호 BFG520/XR,235
PNEDA 부품 번호 BFG520-XR-235
설명 RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,286
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFG520/XR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFG520/XR,235
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BFG520/XR, BFG520/XR 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 316.33 KB)
PDFBFG520/XR 데이터 시트 표지
BFG520/XR 데이터 시트 페이지 2 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 3 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 4 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 5 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 6 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 7 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 8 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 9 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 10 BFG520/XR 데이터 시트 페이지 11

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BFG520/XR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득-
전력-최대300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대)70mA
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-143R
공급자 장치 패키지SOT-143R

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제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

이득

13.5dB

전력-최대

205mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

SOT-343F

MCH4017-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

17dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

4-MCPH

SMMBTH10-4LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

800MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

225mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BFR93AE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

9.5dB ~ 14.5dB

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2N5109

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

1.2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

이득

-

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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