BFL4001-1E
참조 용
| 부품 번호 | BFL4001-1E |
| PNEDA 부품 번호 | BFL4001-1E |
| 설명 | MOSFET N-CH 900V 4.1A |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,028 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BFL4001-1E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFL4001-1E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BFL4001-1E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.1A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 3.25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 850pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2W (Ta), 37W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 500mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.5nC @ 4V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92MOD 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
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