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BFL4004

BFL4004

참조 용

부품 번호 BFL4004
PNEDA 부품 번호 BFL4004
설명 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
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BFL4004 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFL4004
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BFL4004, BFL4004 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 271.84 KB)
PDFBFL4004-1E 데이터 시트 표지
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BFL4004 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs36nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds710pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 220mA, 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

Depletion Mode

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-89

패키지 / 케이스

TO-243AA

SIHG24N65E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2740pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AC

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRFB52N15DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

89nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2770pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRLR8726TRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD950P06NMSAUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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