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BFP183E7764HTSA1

BFP183E7764HTSA1

참조 용

부품 번호 BFP183E7764HTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP183E7764HTSA1
설명 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 51,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP183E7764HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP183E7764HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • BFP183E7764HTSA1 Distributor

BFP183E7764HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득22dB
전력-최대250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)65mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지PG-SOT143-4

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

이득

13dB ~ 15.5dB

전력-최대

1.25W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MMBTH11

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

225mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

13dB ~ 7.5dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 7mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

MS1076C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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