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BFP640FESDH6327XTSA1

BFP640FESDH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP640FESDH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP640FESDH6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP640FESDH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP640FESDH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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BFP640FESDH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.7V
주파수-전환46GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
이득8B ~ 30.5dB
전력-최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지4-TSFP

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전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BFS17SH6327XTSA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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3dB ~ 5dB @ 800MHz

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패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PN3563_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

14dB ~ 26dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

ON Semiconductor

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주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

18dB ~ 22dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

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