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BFP760H6327XTSA1

BFP760H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP760H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP760H6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 22,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP760H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP760H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • BFP760H6327XTSA1 Distributor

BFP760H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4V
주파수-전환45GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz
이득16.5dB ~ 29dB
전력-최대240mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce160 @ 35mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)70mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지SOT-343

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이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC1730OTA

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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Central Semiconductor Corp

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주파수-전환

2.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

25dB

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-72

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

이득

13.5dB

전력-최대

205mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

SOT-343F

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

13.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

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