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BFR106E6327HTSA1

BFR106E6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BFR106E6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BFR106E6327HTSA1
설명 RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 209,556
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFR106E6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFR106E6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • BFR106E6327HTSA1 Distributor

BFR106E6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
이득8.5dB ~ 13dB
전력-최대700mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 70mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)210mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

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작동 온도

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

55V

주파수-전환

960MHz ~ 1.215GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

7dB ~ 8.2dB

전력-최대

220W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55AW

공급자 장치 패키지

55AW

BFP 182 E7764

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

22dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT143-4

BF199_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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