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BFR30,215

BFR30,215

참조 용

부품 번호 BFR30,215
PNEDA 부품 번호 BFR30-215
설명 JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $1.9485
250 ---------- $1.8572
500 ---------- $1.7659
1,000 ---------- $1.6745
2,500 ---------- $1.5984
5,000 ---------- $1.5223
재고 있음 155
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BFR30 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFR30,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
BFR30, BFR30 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 271.49 KB)
PDFBFR30 데이터 시트 표지
BFR30 데이터 시트 페이지 2 BFR30 데이터 시트 페이지 3 BFR30 데이터 시트 페이지 4 BFR30 데이터 시트 페이지 5 BFR30 데이터 시트 페이지 6 BFR30 데이터 시트 페이지 7 BFR30 데이터 시트 페이지 8 BFR30 데이터 시트 페이지 9 BFR30 데이터 시트 페이지 10 BFR30 데이터 시트 페이지 11

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  • BFR30,215 Distributor

BFR30 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)4mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대250mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23 (TO-236AB)

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MMBFJ305

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

JANTX2N4859

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

25 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

MMBFJ110

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

18 Ohms

전력-최대

460mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SuperSOT-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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