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BFU660F,115

BFU660F,115

참조 용

부품 번호 BFU660F,115
PNEDA 부품 번호 BFU660F-115
설명 RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 21,708
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFU660F 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFU660F,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BFU660F, BFU660F 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 122.95 KB)
PDFBFU660F 데이터 시트 표지
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BFU660F 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)5.5V
주파수-전환21GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
이득12dB ~ 21dB
전력-최대225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce90 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대)60mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지4-DFP

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제조업체

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트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MRF5812GR2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

이득

13dB ~ 15.5dB

전력-최대

1.25W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

MPS5179RLRAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

200W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

17.5dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

FMMTH10TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

이득

-

전력-최대

330mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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