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BFU768F,115

BFU768F,115

참조 용

부품 번호 BFU768F,115
PNEDA 부품 번호 BFU768F-115
설명 RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,112
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFU768F 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFU768F,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BFU768F, BFU768F 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 146.41 KB)
PDFBFU768F 데이터 시트 표지
BFU768F 데이터 시트 페이지 2 BFU768F 데이터 시트 페이지 3 BFU768F 데이터 시트 페이지 4 BFU768F 데이터 시트 페이지 5 BFU768F 데이터 시트 페이지 6 BFU768F 데이터 시트 페이지 7 BFU768F 데이터 시트 페이지 8 BFU768F 데이터 시트 페이지 9 BFU768F 데이터 시트 페이지 10 BFU768F 데이터 시트 페이지 11

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BFU768F 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2.8V
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 2.4GHz
이득13.1dB
전력-최대220mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce155 @ 10mA, 2V
전류-수집기 (Ic) (최대)70mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-343F
공급자 장치 패키지4-DFP

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

이득

-

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

2N918

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60kHz

이득

-

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-72

BFU520YX

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.65dB @ 900MHz

이득

19dB

전력-최대

450mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

BFP193WE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

13.5dB ~ 20.5dB

전력-최대

580mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

2N5031

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

400MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

12dB @ 400MHz

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-72

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