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BG3130H6327XTSA1

BG3130H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BG3130H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BG3130H6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
제조업체 Infineon Technologies
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BG3130H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG3130H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG3130H6327XTSA1, BG3130H6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 80.79 KB)
PDFBG3130RH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BG3130H6327XTSA1 Distributor

BG3130H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.3dB
현재-테스트14mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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15V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

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TO-92-3

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Ampleon USA Inc.

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LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

29.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

2.17GHz

이득

18.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

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