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BG5120KE6327HTSA1

BG5120KE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BG5120KE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BG5120KE6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BG5120KE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG5120KE6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG5120KE6327HTSA1, BG5120KE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 556.93 KB)
PDFBG5120KH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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  • BG5120KE6327HTSA1 Distributor

BG5120KE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득23dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)20mA
소음 수치1.1dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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소음 수치

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현재-테스트

900mA

전원-출력

33W

전압-정격

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공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

895MHz

이득

21.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

70W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

25mA

전원-출력

37dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

16-SOP (0.276", 7.00mm Width)

공급자 장치 패키지

16-PFP

PD20015S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

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