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BG5412KE6327HTSA1

BG5412KE6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BG5412KE6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BG5412KE6327HTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG5412KE6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG5412KE6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG5412KE6327HTSA1, BG5412KE6327HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 562.2 KB)
PDFBG5412KH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BG5412KE6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.1dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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960MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

650mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-37265-2

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

37A

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

PTFB093608FVV2S250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.8A

전원-출력

112W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36260-2

공급자 장치 패키지

H-36260-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

19.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

SOT1275-3

CGH40035F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

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GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0Hz ~ 4GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10.5A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

45W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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