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BG5412KH6327XTSA1

BG5412KH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BG5412KH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BG5412KH6327XTSA1
설명 MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,686
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BG5412KH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BG5412KH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BG5412KH6327XTSA1, BG5412KH6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 562.2 KB)
PDFBG5412KH6327XTSA1 데이터 시트 표지
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BG5412KH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형2 N-Channel (Dual)
주파수800MHz
이득24dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)25mA
소음 수치1.1dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지PG-SOT363-6

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전류 정격 (Amps)

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-

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90W

전압-정격

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NI-1230

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NXP USA Inc.

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LDMOS (Dual)

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28V

전류 정격 (Amps)

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18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

720mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.5GHz

이득

14.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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