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BLF2425M9LS30J

BLF2425M9LS30J

참조 용

부품 번호 BLF2425M9LS30J
PNEDA 부품 번호 BLF2425M9LS30J
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF2425M9LS30J 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF2425M9LS30J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF2425M9LS30J, BLF2425M9LS30J 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,034.48 KB)
PDFBLF2425M9LS30J 데이터 시트 표지
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BLF2425M9LS30J 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.45GHz
이득18.5dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트20mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1135B
공급자 장치 패키지SOT1135B

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제조업체

STMicroelectronics

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이득

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소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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이득

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전압-테스트

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소음 수치

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전원-출력

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전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

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1dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110B

공급자 장치 패키지

NI1230S-8

PTFA212401E V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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