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BLF25M612G,112

BLF25M612G,112

참조 용

부품 번호 BLF25M612G,112
PNEDA 부품 번호 BLF25M612G-112
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,776
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF25M612G 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF25M612G,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF25M612G, BLF25M612G 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 975.39 KB)
PDFBLF25M612 데이터 시트 표지
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BLF25M612G 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.45GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력12W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-975C
공급자 장치 패키지CDFM2

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NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

900MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

600mA

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

32.2dB

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

3-PowerMiniMold

ATF-38143-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

145mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

12dBm

전압-정격

4.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343, SC70 4-Lead

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

32.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-1

공급자 장치 패키지

16-HSOPF

PTFB191501EV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

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