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BLF4G10-160,112

BLF4G10-160,112

참조 용

부품 번호 BLF4G10-160,112
PNEDA 부품 번호 BLF4G10-160-112
설명 TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF4G10-160 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF4G10-160,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF4G10-160, BLF4G10-160 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 122.85 KB)
PDFBLF4G10-160 데이터 시트 표지
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  • BLF4G10-160,112 Distributor

BLF4G10-160 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수894MHz
이득19.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)15A
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력160W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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LDMOS

주파수

2.16GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11.5W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-400

공급자 장치 패키지

NI-400

BLF8G22LS-270J

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

BLP05H635XRGY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

35W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1224-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.5GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

125W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

BLF647PS,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.3GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

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