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BLF4G22LS-130,112

BLF4G22LS-130,112

참조 용

부품 번호 BLF4G22LS-130,112
PNEDA 부품 번호 BLF4G22LS-130-112
설명 FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 16 - 2월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF4G22LS-130 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF4G22LS-130,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF4G22LS-130, BLF4G22LS-130 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 83.6 KB)
PDFBLF4G22LS-130 데이터 시트 표지
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BLF4G22LS-130 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득13.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)15A
소음 수치-
현재-테스트1.15A
전원-출력33W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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이득

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전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

10W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

SOT-975C

공급자 장치 패키지

SOT-975C

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

27W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

PTFA190451EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.3GHz

이득

16.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880X-4L4S-8

공급자 장치 패키지

NI-880X-4L4S-8

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