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BLF645,112

BLF645,112

참조 용

부품 번호 BLF645,112
PNEDA 부품 번호 BLF645-112
설명 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $1,838.6481
50 ---------- $1,752.4614
100 ---------- $1,666.2748
200 ---------- $1,580.0882
400 ---------- $1,508.2660
500 ---------- $1,436.4438
재고 있음 139
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BLF645 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF645,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF645, BLF645 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,017.07 KB)
PDFBLF645 데이터 시트 표지
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BLF645 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수1.3GHz
이득16.5dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)32A
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력100W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-540A
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

Ampleon USA Inc.

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LDMOS

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이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz ~ 2.025GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM780-4

공급자 장치 패키지

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

280W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780-2G

공급자 장치 패키지

OM-780-2 Gull

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

200µA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

-

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780GS-2L

공급자 장치 패키지

NI-780GS-2L

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