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BLF6G10LS-200R,112

BLF6G10LS-200R,112

참조 용

부품 번호 BLF6G10LS-200R,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G10LS-200R-112
설명 RF FET LDMOS 65V SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,506
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G10LS-200R 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10LS-200R,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G10LS-200R, BLF6G10LS-200R 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 98.39 KB)
PDFBLF6G10LS-200R 데이터 시트 표지
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BLF6G10LS-200R 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수-
이득-
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)49A
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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NXP USA Inc.

시리즈

-

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LDMOS (Dual)

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860MHz

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22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

115V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.84GHz

이득

20.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780GS-2L2LA

공급자 장치 패키지

NI-780GS-2L2LA

BLF6G27LS-40PGJ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121E

공급자 장치 패키지

SOT-1121E

PD20015S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

15W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

PXAC201202FC-V2-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.2GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

240mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

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