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BLF6G10LS-200RN,11

BLF6G10LS-200RN,11

참조 용

부품 번호 BLF6G10LS-200RN,11
PNEDA 부품 번호 BLF6G10LS-200RN-11
설명 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,336
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G10LS-200RN 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10LS-200RN,11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G10LS-200RN, BLF6G10LS-200RN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,031.5 KB)
PDFBLF6G10-200RN 데이터 시트 표지
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BLF6G10LS-200RN 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수871.5MHz ~ 891.5MHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)49A
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

27dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

BLF884P,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

650mA

전원-출력

150W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

BLF6G27S-45,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

7W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-608B

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

15dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

160mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

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