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BLF6G22LS-130,112

BLF6G22LS-130,112

참조 용

부품 번호 BLF6G22LS-130,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G22LS-130-112
설명 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 5,310
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22LS-130 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22LS-130,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • BLF6G22LS-130,112 Distributor

BLF6G22LS-130 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득17dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)34A
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H32259-2

공급자 장치 패키지

H-32259-2

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

MRF372R5

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

17dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

180W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

BLS9G3135L-115U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.1GHz ~ 3.5GHz

이득

11dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

115W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

SOT-1135A

공급자 장치 패키지

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