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BLF6G22LS-40P,112

BLF6G22LS-40P,112

참조 용

부품 번호 BLF6G22LS-40P,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G22LS-40P-112
설명 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22LS-40P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22LS-40P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G22LS-40P, BLF6G22LS-40P 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,747.48 KB)
PDFBLF6G22L-40P 데이터 시트 표지
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BLF6G22LS-40P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)16A
소음 수치-
현재-테스트410mA
전원-출력13.5W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1121B
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.65A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-34275G-6/2

공급자 장치 패키지

H-34275G-6/2

XF1001-SC-0G0T

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

6GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

8V

전류 정격 (Amps)

450mA

소음 수치

4.5dB

현재-테스트

300mA

전원-출력

-

전압-정격

9V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

PD55003

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.62GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

12GHz

이득

13.7dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-Micro-X

공급자 장치 패키지

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