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BLF6G27LS-50BN,112

BLF6G27LS-50BN,112

참조 용

부품 번호 BLF6G27LS-50BN,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G27LS-50BN-112
설명 TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,166
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G27LS-50BN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G27LS-50BN,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • BLF6G27LS-50BN,112 Distributor

BLF6G27LS-50BN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.5GHz ~ 2.7GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)12A
소음 수치-
현재-테스트430mA
전원-출력3W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1112B
공급자 장치 패키지CDFM6

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

22.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

475-102N20A-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1800W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE475

BLS9G2731L-400U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

13dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4µA

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

SOT502A

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

3.5GHz

이득

10dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

19W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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