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BLF7G10L-250,112

BLF7G10L-250,112

참조 용

부품 번호 BLF7G10L-250,112
PNEDA 부품 번호 BLF7G10L-250-112
설명 RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G10L-250 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G10L-250,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G10L-250, BLF7G10L-250 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,158.83 KB)
PDFBLF7G10L-250 데이터 시트 표지
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BLF7G10L-250 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수920MHz ~ 960MHz
이득19.5dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.8A
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

43W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

BLF6H10L-300P

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

13dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400

공급자 장치 패키지

NI-400

PXAC201602FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.02GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

22.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

AFM906NT1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

136MHz ~ 941MHz

이득

-

전압-테스트

10.8V

전류 정격 (Amps)

2µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

6.8W

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-DFN (4x6)

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