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BLF7G20L-90P,118

BLF7G20L-90P,118

참조 용

부품 번호 BLF7G20L-90P,118
PNEDA 부품 번호 BLF7G20L-90P-118
설명 RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G20L-90P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G20L-90P,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G20L-90P, BLF7G20L-90P 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,116.71 KB)
PDFBLF7G20L-90P 데이터 시트 표지
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BLF7G20L-90P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수1.81GHz ~ 1.88GHz
이득19.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)18A
소음 수치-
현재-테스트550mA
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1121A
공급자 장치 패키지LDMOST

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Ampleon USA Inc.

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이득

13dB

전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

200W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

LDMOST

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.12GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

44W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

PD57060STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

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-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

500MHz

이득

26dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12.5V

패키지 / 케이스

SC-61AA

공급자 장치 패키지

SMQ

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