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BLF7G22L-250P,118

BLF7G22L-250P,118

참조 용

부품 번호 BLF7G22L-250P,118
PNEDA 부품 번호 BLF7G22L-250P-118
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,898
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G22L-250P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G22L-250P,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G22L-250P, BLF7G22L-250P 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,787.33 KB)
PDFBLF7G22L-250P 데이터 시트 표지
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BLF7G22L-250P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)65A
소음 수치-
현재-테스트1.9A
전원-출력70W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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제조업체

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LDMOS

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1.5GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

240W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-33288-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

VRF141

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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