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BLF7G27L-150P,112

BLF7G27L-150P,112

참조 용

부품 번호 BLF7G27L-150P,112
PNEDA 부품 번호 BLF7G27L-150P-112
설명 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 7,884
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예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G27L-150P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G27L-150P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G27L-150P, BLF7G27L-150P 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 1,117.49 KB)
PDFBLF7G27LS-150P 데이터 시트 표지
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BLF7G27L-150P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수2.5GHz ~ 2.7GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)37A
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

8dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

18.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

6.3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.47GHz ~ 1.51GHz

이득

22dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

11A

소음 수치

-

현재-테스트

330mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112A

공급자 장치 패키지

CDFM6

STAC4933

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

300W

전압-정격

200V

패키지 / 케이스

STAC177B

공급자 장치 패키지

STAC177B

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