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BLF8G19LS-170BV,11

BLF8G19LS-170BV,11

참조 용

부품 번호 BLF8G19LS-170BV,11
PNEDA 부품 번호 BLF8G19LS-170BV-11
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 3,222
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF8G19LS-170BV 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF8G19LS-170BV,11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF8G19LS-170BV, BLF8G19LS-170BV 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,003.67 KB)
PDFBLF8G19LS-170BVU 데이터 시트 표지
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BLF8G19LS-170BV 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수1.94GHz ~ 1.99GHz
이득18dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1120B
공급자 장치 패키지LDMOST

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NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-2

공급자 장치 패키지

TO-270-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 470MHz

이득

24dB

전압-테스트

65V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1800W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

OM-1230G-4L

공급자 장치 패키지

OM-1230G-4L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.2A

전원-출력

52W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

BLF1046,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

14dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

4.5A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

CGHV60170D-GP4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

6GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

260mA

전원-출력

170W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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8121-RC

8121-RC

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1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

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C5750X7S2A106K230KE

C5750X7S2A106K230KE

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MMSZ4696T1G

MMSZ4696T1G

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IHLP2525CZER3R3M01

IHLP2525CZER3R3M01

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ULN2804A

ULN2804A

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NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

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TAJB106K016RNJ

TAJB106K016RNJ

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CC12H2A-TR

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FUSE BOARD MOUNT 2A 63VDC 1206

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SL16010DCT

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